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GK-HTGB-C16
高溫柵偏實驗系統
系統能滿足各種封裝形式的MOSFET、IGBT等器件的高溫柵偏試驗。
工作原理:
將被測量元件放置在一定的環境溫度中,給被測元件的柵極施加一定的偏置電壓。同時測控系統實時檢測每個材料的漏電流、電壓,并根據預先設定,當被測材料實時漏電流超過設定值時,自動切斷被測材料上的電壓,可以保護被測元件不會進一步燒毀。
heating
高溫加熱
內部加熱 保持不壞
真金不怕火煉,超強耐高溫
超級耐高溫
保持高品質
內部加熱原理
產品特點
高精度,高穩定性
支持雙界面
熱阻測試和結構函數測試
采樣速率1MHz/s
支持多種方
式實現Sic器件功率循環
高精度,高穩定性
支持雙界面
熱阻測試和結構函數測試
采樣速率1MHz/s
支持多種方
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產品參數
Product parameters
GK-HTGB-C4
★符合標準:
符合MIL-STD-750、AEC-Q101等試驗標準要求。
★適用范圍:
系統能滿足各種封裝形式的MOSFET、IGBT等器件的高溫柵偏試驗。
★工作原理:
將被測量元件放置在一定的環境溫度中,給被測元件的柵極施加一定的偏置電壓。同時測控系統實時檢測每個材料的漏電流、電壓,并根據預先設定,當被測材料實時漏電流超過設定值時,自動切斷被測材料上的電壓,可以保護被測元件不會進一步燒毀。
服務熱線
0571-8585 6333
聯系郵箱:gk@hzgkdz.com
公司地址:浙江省杭州市余杭區閑林工業園裕豐路7號
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