適用于各種封裝形式的二極管、三極管、MOSFET、IGBT等器件的間歇壽命試驗(yàn)和穩(wěn)態(tài)壽命試驗(yàn)。
技術(shù)特點(diǎn):
①在試驗(yàn)的過(guò)程中實(shí)時(shí)測(cè)量樣品的結(jié)溫,并顯示結(jié)溫差。
②采用模塊化設(shè)計(jì),每個(gè)模塊是一個(gè)獨(dú)立試驗(yàn)單元。每個(gè)模塊有獨(dú)立的試驗(yàn)腔體,真正做到板與板之間完全獨(dú)立。每個(gè)試驗(yàn)單元的風(fēng)道互不影響。
③在調(diào)試模式下,無(wú)論是開(kāi)通狀態(tài)還是關(guān)斷狀態(tài)下,均可以每隔一秒采集一次結(jié)溫Tj,描繪出完整的溫度變化曲線。可以防止在尋找試驗(yàn)條件時(shí)損壞器件。
④三極管的試驗(yàn)線路采用共基極試驗(yàn)線路,更能滿足宇航級(jí)產(chǎn)品的試驗(yàn)要求。
⑤設(shè)備上可配置K系數(shù)測(cè)試裝置。