系統(tǒng)能滿足各種封裝形式的二極管、三極管、半橋、場效應(yīng)管、可控硅、IGBT等系列器件在高溫高濕環(huán)境下進(jìn)行反向偏壓試驗(yàn)。
技術(shù)特點(diǎn):
①實(shí)時(shí)監(jiān)測每個器件的反偏電壓、漏電流;
②每個器件對應(yīng)一個快速熔斷保險(xiǎn)絲,保險(xiǎn)絲板置于常溫環(huán)下避免高溫高濕環(huán)境對保險(xiǎn)管的影響;
③整個試驗(yàn)過程的數(shù)據(jù)(漏電流、反偏電壓、溫度、濕度)記錄并存儲。并輸出為Excel報(bào)表和繪制全過程漏電流IR曲線。
④可根據(jù)用戶的需求,定制各種老化板及測試程序。